由于北美沒有管理PFC的規(guī)定，能源節(jié)省和空間/成本的考慮成為在消費(fèi)類產(chǎn)品、計(jì)算機(jī)和通信領(lǐng)域中必須使用PFC的附加驅(qū)動(dòng)因素。肖特基二極管功率因數(shù)校正(PFC)市場(chǎng)主要受與降低諧波失真有關(guān)的全球性規(guī)定影響。在英國(guó)肖特基二極管、日本和中國(guó)也存在類似的標(biāo)準(zhǔn)。DCM模式一般用于輸出功率在75W到300W之間的應(yīng)用；CCM模式用于輸出肖特基二極管應(yīng)用功率大于300W的應(yīng)用。當(dāng)輸出功率超過250W時(shí)，PFC具有成本效益，因?yàn)槠渌矫?比如效率)得到了補(bǔ)償性的提高。主動(dòng)PFC有兩種通用模式：使用三角形和梯形電流波形的不連續(xù)電流模式(DCM)和連續(xù)電流模式(CCM)。

　　在輸入肖特基二極管85V交流電壓時(shí)，必須有較低的Rdson，因?yàn)閭鲗?dǎo)熱損失與輸入電壓的3次方成反比關(guān)系。這種MOSFET管的高頻工作能夠顯著減少升壓抑制。因此晶體管的快速開關(guān)特性是必須的。肖特基二極管應(yīng)用升壓二極管應(yīng)該具有快速開關(guān)、低Vf和低Qrr特性。為了減少M(fèi)OSFET在接通時(shí)的峰值電流壓力，低Qrr是必須的。如果沒有這一特性，升壓MOSFET將增加溫度和Rdson，導(dǎo)致更多的功率損失，從而降低效率。在高功率密度應(yīng)用中效率是取得較小體積(30W/cm3英寸)和減少無(wú)源器件尺寸的關(guān)鍵因素。因此高的開關(guān)頻率必不可少。

　　為了設(shè)計(jì)效率和外形尺寸優(yōu)的CCM PFC，升壓二極管還必須肖特基二極管應(yīng)用具備以下一些特性：較短的反向恢復(fù)和正向恢復(fù)時(shí)間；較小的儲(chǔ)存電荷Q；低的漏電流和較低的開關(guān)損耗。過壓和浪涌電流能力非常重要，它們能夠用來處理PFC中由啟動(dòng)和交流回落引起的浪涌和過電流。這些特性只有用碳化硅肖特基二極管(SiC肖特基二極管)才能實(shí)現(xiàn)。 

　　由于SiC肖特基二極管的開關(guān)行為獨(dú)立于正向電流(Iload)、開關(guān)速度(di/dt)和肖特基二極管應(yīng)用溫度，因此這種肖特基二極管在設(shè)計(jì)中很容易使用。在設(shè)計(jì)中采用SiC肖特基二極管能夠?qū)崿F(xiàn)大的開關(guān)工作頻率(高可達(dá)1MHz)，從而可以使用更小體積的無(wú)源器件。