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參考消息網(wǎng)12月12日報道 日本媒體報道稱，國際半導體設(shè)備與材料協(xié)會（SEMI）12月10日發(fā)布預測稱，半導體設(shè)...
現(xiàn)代社會已進入信息時代，信息傳播占有越來越重要的地位，同時人們對視覺媒體的要求也愈來愈高，要求傳播媒...
穩(wěn)壓二極管是工作在反向擊穿狀態(tài)下的，使管子兩端電壓基本不變的一種特殊二極管。選用穩(wěn)壓管時，要根據(jù)具體...
高壓MOSFET系BYD微電子公司研發(fā)與生產(chǎn),根據(jù)市場需求,現(xiàn)主要生產(chǎn)500V(5A,9A),600V(1A,2A,4A,6A,8A,10A,12A)系列產(chǎn)品,主要封裝形式有TO-220/TO-220F/TO-251/TO-92...
一只性能良好的電容器在接通電源的瞬間，萬用表的表針應(yīng)有較大擺幅;電容器的容量越大，其表針的擺幅也越大，擺動后，表針能逐漸返回零位。如果電容器在電源接通...
能夠迅速由導通狀態(tài)過渡到關(guān)斷狀態(tài)的PN結(jié)整流二極管，稱為快恢復二極管，這種二極管的特點是反向恢復時間短，典型的200v/30 A快恢復二極管，其trr
1、標稱阻值：電阻器上面所標?示的阻值。2、允許誤差：標稱阻值與實際阻值的差值跟標稱阻值之比的百分數(shù)稱阻值偏差，它表示電阻器的精度，允許誤差與精度等級對...
IGBT模塊的術(shù)語及其特性術(shù)語說明：集電極、發(fā)射極間處于交流短路狀態(tài)，在柵極、發(fā)射極間及集電極、發(fā)射極間加上指定電壓時，柵極、發(fā)射極間的電容......
在IGBT的應(yīng)用中，關(guān)鍵是過流保護。IGBT能承受的過流時間僅為幾微秒，這與scr、gtr(幾十微秒)等器件相比要小得多，因而對過流保護的要求就更高了。igbt的過電流保...
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